رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
DMT32M5LPSW-13
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
DMT32M5LPSW-13-DG
وصف:
MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI506
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 100A (Tc) 3.2W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI5060-8 (Type UX)
المخزون:
12986828
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
DMT32M5LPSW-13 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
100A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4389 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.2W (Ta), 100W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount, Wettable Flank
حزمة جهاز المورد
PowerDI5060-8 (Type UX)
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN
رقم المنتج الأساسي
DMT32
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
31-DMT32M5LPSW-13TR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
GT035N06T
N-CH, 60V,170A, RD(MAX)<3.5M@10V
FDBL9406-F085HM
MOSFET
TW083N65C,S1F
G3 650V SIC-MOSFET TO-247 83MOH
