رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
DMT5015LFDF-13
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
DMT5015LFDF-13-DG
وصف:
MOSFET N-CH 50V 9.1A 6UDFN
وصف تفصيلي:
N-Channel 50 V 9.1A (Ta) 820mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)
المخزون:
12900499
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
DMT5015LFDF-13 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
50 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
9.1A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
15mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±16V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
902.7 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
820mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
U-DFN2020-6 (Type F)
العبوة / العلبة
6-UDFN Exposed Pad
رقم المنتج الأساسي
DMT5015
معلومات إضافية
الباقة القياسية
10,000
اسماء اخرى
31-DMT5015LFDF-13TR
DMT5015LFDF-13DI
DMT5015LFDF-13DI-DG
31-DMT5015LFDF-13DKR
31-DMT5015LFDF-13CT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
HUF75829D3
MOSFET N-CH 150V 18A IPAK
TSM210N02CX RFG
MOSFET N-CHANNEL 20V 6.7A SOT23
DMP21D5UFD-7
MOSFET P-CH 20V 600MA 3DFN
