رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
DMT69M8LSS-13
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
DMT69M8LSS-13-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 9.8A 8SO T&R 2
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 9.8A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount 8-SO
المخزون:
12949251
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
DMT69M8LSS-13 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
9.8A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
12mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
33.5 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±16V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1925 pF @ 30 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.25W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-SO
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
DMT69M8LSS-13DITR
DMT69M8LSS-13DIDKR
DMT69M8LSS-13DICT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
AO4266E
المُصنِّع
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
AO4266E-DG
سعر الوحدة
0.17
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
DMT6012LSS-13
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
4972
DiGi رقم الجزء
DMT6012LSS-13-DG
سعر الوحدة
0.12
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
FDS5670
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
21413
DiGi رقم الجزء
FDS5670-DG
سعر الوحدة
0.81
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
DMG7702SFG-13
MOSFET N-CH 30V 12A POWERDI3333
DMN3026LVTQ-13
MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26
DMN63D1LT-7
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT523
