رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
DMTH10H2M5STLWQ-13
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
DMTH10H2M5STLWQ-13-DG
وصف:
MOSFET BVDSS: 61V~100V,POWERDI10
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 215A (Tc) 5.8W (Ta), 230.8W (Tc) Surface Mount POWERDI1012-8
المخزون:
1132 قطع جديدة أصلية في المخزون
12995667
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
DMTH10H2M5STLWQ-13 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
215A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
124.4 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
8450 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
5.8W (Ta), 230.8W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
POWERDI1012-8
العبوة / العلبة
8-PowerSFN
رقم المنتج الأساسي
DMTH10
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,500
اسماء اخرى
31-DMTH10H2M5STLWQ-13DKR
31-DMTH10H2M5STLWQ-13TR
31-DMTH10H2M5STLWQ-13CT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
DMTH10H2M5STLW-13
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
DMTH10H2M5STLW-13-DG
سعر الوحدة
1.93
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SIRS700DP-T1-RE3
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
NTB7D3N15MC
NTB7D3N15MC
SSM3K15CT,L3F
MOSFET N-CH 30V 100MA CST3
