رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
DMTH10H4M5LPSW-13
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
DMTH10H4M5LPSW-13-DG
وصف:
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 20A (Ta), 107A (Tc) 4.7W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI5060-8 (Type UX)
المخزون:
13242600
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
DMTH10H4M5LPSW-13 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
20A (Ta), 107A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
4.9mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4843 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
4.7W (Ta), 136W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount, Wettable Flank
حزمة جهاز المورد
PowerDI5060-8 (Type UX)
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
31-DMTH10H4M5LPSW-13TR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
حالة الوصول
REACH Unaffected
نماذج بديلة
رقم الجزء
DMTH10H4M5LPSWQ-13
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
2450
DiGi رقم الجزء
DMTH10H4M5LPSWQ-13-DG
سعر الوحدة
0.83
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
رقم الجزء
DMTH10H4M5LPSW
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
2500
DiGi رقم الجزء
DMTH10H4M5LPSW-DG
سعر الوحدة
0.79
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
DMN62D2UT-13
2N7002 FAMILY SOT523 T&R 10K
DMT10H075LE-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT223 T&
DMTH43M8LFVW-7
MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333
