رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

DMTH42M4SPS-13

Product Overview

المُصنّع:

Diodes Incorporated

رقم الجزء DiGi Electronics:

DMTH42M4SPS-13-DG

وصف:

MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506

وصف تفصيلي:

N-Channel 40 V 200A (Tc) 3.06W (Ta), 150W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8 (Type K)

المخزون:

طلبات الأسعار عبر الإنترنت

13242725

طلب عرض سعر

الكمية
الحد الأدنى 1

(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة

إرسال

DMTH42M4SPS-13 المواصفات الفنية

فئة

ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET

المُصنّع

Diodes Incorporated

تعبئة

Tape & Reel (TR)

سلسلة

-

حالة المنتج

Active

نوع FET

N-Channel

التقنية

MOSFET (Metal Oxide)

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)

40 V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية

200A (Tc)

محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)

10V

Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs

2.4mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف

4V @ 250µA

شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

79.5 nC @ 10 V

Vgs (ماكس)

±20V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

6968 pF @ 20 V

ميزة FET

-

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

3.06W (Ta), 150W (Tc)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 175°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

حزمة جهاز المورد

PowerDI5060-8 (Type K)

العبوة / العلبة

8-PowerTDFN

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

مخططات البيانات

ورقة بيانات HTML

DMTH42M4SPS-13-DG

معلومات إضافية

الباقة القياسية

2,500

اسماء اخرى

31-DMTH42M4SPS-13TR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS

ROHS3 Compliant

حالة الوصول

REACH Unaffected

شهادة ديجي

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

المنتجات ذات الصلة

diodes

DMP4026LK3Q-13

MOSFET BVDSS: 31V~40V TO252 T&R

diodes

DMTH10H009LFGQ-7

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33

diodes

DMTH6005LFGQ-7

MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333

diodes

DMNH6012SPSWQ-13

MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506