رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
DMTH69M8LFVW-7
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
DMTH69M8LFVW-7-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 15.9/45.4A PWRDI
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 15.9A (Ta), 45.4A (Tc) 3.6W (Ta), 29.4W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
المخزون:
13270157
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
DMTH69M8LFVW-7 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
15.9A (Ta), 45.4A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
9.5mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
33.5 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±16V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1925 pF @ 30 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.6W (Ta), 29.4W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount, Wettable Flank
حزمة جهاز المورد
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
العبوة / العلبة
8-PowerVDFN
رقم المنتج الأساسي
DMTH69
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,000
اسماء اخرى
31-DMTH69M8LFVW-7TR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
DMTH69M8LFVW-13
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
DMTH69M8LFVW-13-DG
سعر الوحدة
0.22
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
DMT3009UFVW-7
MOSFET N-CH 30V 10.6A/30A PWRDI
SI2369BDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 5.6A/7.5A SOT23
DMT3009UFVW-13
MOSFET N-CH 30V 10.6A/30A PWRDI
