الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FMMT411QTA
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
FMMT411QTA-DG
وصف:
Avalanche Transistor SOT23 T&R 3
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Avalanche Mode 15 V 900 mA 40MHz 800 mW Surface Mount SOT-23 (Type DN)
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
13002759
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FMMT411QTA المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Bulk
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
NPN - Avalanche Mode
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
900 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
15 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
100mV @ 1mA, 10mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100nA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
100 @ 10mA, 10V
الطاقة - الحد الأقصى
800 mW
التردد - الانتقال
40MHz
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
حزمة جهاز المورد
SOT-23 (Type DN)
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
FMMT411Q
مخططات البيانات
FMMT411QTA
ورقة بيانات HTML
FMMT411QTA-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
31-FMMT411QTA
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
FMMT411QTD
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
495
DiGi رقم الجزء
FMMT411QTD-DG
سعر الوحدة
1.28
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
ZXTP07060BGQTC
Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T
2N3906-HF
TRANS PNP 40V 0.2A TO92
BC858CW-TP
Interface
BCP54-16-TP-HF
Interface