الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
جمهورية الكونغو الديمقراطية
الأرجنتين
تركيا
رومانيا
لتوانيا
النرويج
النمسا
أنغولا
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
بيلاروسيا
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
الجبل الأسود
الروسية
بلجيكا
السويد
صربيا
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
مولدافيا
ألمانيا
هولندا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
فرنسا
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
البرتغال
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
إسبانيا
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
HBDM60V600W-7
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
HBDM60V600W-7-DG
وصف:
TRANS NPN/PNP 65V/60V SOT363
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor Array 1 NPN, 1 PNP 65V, 60V 500mA, 600mA 100MHz 200mW Surface Mount SOT-363
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12888560
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
HBDM60V600W-7 المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), مصفوفات الترانزستورات الثنائية القطبية
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
1 NPN, 1 PNP
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
500mA, 600mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
65V, 60V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
400mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 50mA, 500mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100nA
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
100 @ 100mA, 1V / 100 @ 150mA, 10V
الطاقة - الحد الأقصى
200mW
التردد - الانتقال
100MHz
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
حزمة جهاز المورد
SOT-363
رقم المنتج الأساسي
HBDM60V600
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
HBDM60V600WDITR
HBDM60V600W7
HBDM60V600WDIDKR
HBDM60V600WDICT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
نماذج بديلة
رقم الجزء
MMDT2227-TP
المُصنِّع
Micro Commercial Co
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
MMDT2227-TP-DG
سعر الوحدة
0.05
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BC847BS-7-F
TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT363
DST3946DPJ-7
TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SOT963
DST3906DJ-7
TRANS 2PNP 40V 0.2A SOT963
HN4A51JTE85LF
TRANS 2PNP 120V 0.1A SMV