MMDT5451Q-7
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

MMDT5451Q-7

Product Overview

المُصنّع:

Diodes Incorporated

رقم الجزء DiGi Electronics:

MMDT5451Q-7-DG

وصف:

SS HI VOLTAGE TRANSISTOR SOT363
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor Array 160V, 150V 200mA 300MHz 200mW Surface Mount SOT-363

المخزون:

2955 قطع جديدة أصلية في المخزون
12979161
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

MMDT5451Q-7 المواصفات الفنية

فئة
ثنائي القطب (BJT), مصفوفات الترانزستورات الثنائية القطبية
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
-
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
200mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
160V, 150V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
200mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
50nA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
80 @ 10mA, 5V / 60 @ 10mA, 5V
الطاقة - الحد الأقصى
200mW
التردد - الانتقال
300MHz
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
حزمة جهاز المورد
SOT-363
رقم المنتج الأساسي
MMDT5451

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
MMDT5451Q

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
31-MMDT5451Q-7CT
31-MMDT5451Q-7TR
31-MMDT5451Q-7DKR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
شهادة ديجي
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
المنتجات ذات الصلة
diodes

ZDT6702QTA

PWR MID PERF TRANSISTOR SM-8 T&R

diodes

ZDT694QTA

PWR LOW SAT TRANSISTOR SM-8 T&R

microchip-technology

JANS2N5794U

DUAL SMALL-SIGNAL BJT

microchip-technology

MSR2N3810U

DUAL RH SMALL-SIGNAL BJT