الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
جمهورية الكونغو الديمقراطية
الأرجنتين
تركيا
رومانيا
لتوانيا
النرويج
النمسا
أنغولا
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
بيلاروسيا
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
الجبل الأسود
الروسية
بلجيكا
السويد
صربيا
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
مولدافيا
ألمانيا
هولندا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
فرنسا
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
البرتغال
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
إسبانيا
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
ZHB6792TC
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
ZHB6792TC-DG
وصف:
TRANS 2NPN/2PNP 70V 1A SOT223
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN, 2 PNP (H-Bridge) 70V 1A 100MHz 1.25W Surface Mount SM8
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12887433
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
ZHB6792TC المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), مصفوفات الترانزستورات الثنائية القطبية
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
2 NPN, 2 PNP (H-Bridge)
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
1A
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
70V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
750mV @ 50mA, 2A
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100nA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
300 @ 100mA, 2V
الطاقة - الحد الأقصى
1.25W
التردد - الانتقال
100MHz
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SOT-223-8
حزمة جهاز المورد
SM8
رقم المنتج الأساسي
ZHB6792
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
ZHB6792TC
مخططات البيانات
ZHB6792TC
ورقة بيانات HTML
ZHB6792TC-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
4,000
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
ZXTC6719MCTA
TRANS NPN/PNP 50V/40V 4A/3A 8DFN
ZHB6790TC
TRANS 2NPN/2PNP 40V 2A SOT223
DMB2227A-7
TRANS NPN/PNP 40V/60V 0.6A SOT26
MMDT2227Q-7-F
GENERAL PURPOSE TRANSISTOR SOT36