الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
ZXM62N03E6TA
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
ZXM62N03E6TA-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT-23-6
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 3.2A (Ta) Surface Mount SOT-23-6
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12904276
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
ZXM62N03E6TA المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3.2A (Ta)
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
110mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
9.6 nC @ 10 V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
380 pF @ 25 V
ميزة FET
-
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SOT-23-6
العبوة / العلبة
SOT-23-6
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
ZXM62N03E6
ZXM62N03E6TR
ZXM62N03E6CT
ZXM62N03E6DKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
ZXMN3A01E6TA
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
148497
DiGi رقم الجزء
ZXMN3A01E6TA-DG
سعر الوحدة
0.18
نوع الاستبدال
Direct
رقم الجزء
RSQ020N03TR
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
2469
DiGi رقم الجزء
RSQ020N03TR-DG
سعر الوحدة
0.19
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
RTQ020N03TR
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
8195
DiGi رقم الجزء
RTQ020N03TR-DG
سعر الوحدة
0.15
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
SI3442BDV-T1-E3
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
26929
DiGi رقم الجزء
SI3442BDV-T1-E3-DG
سعر الوحدة
0.17
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IRLMS1503TRPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
25644
DiGi رقم الجزء
IRLMS1503TRPBF-DG
سعر الوحدة
0.16
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
PH1225AL,115
MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
IXFR15N80Q
MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS247
ZXMN10A25KTC
MOSFET N-CH 100V 4.2A TO252-3
FQA12N60
MOSFET N-CH 600V 12A TO3P