رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
ZXM64N035GTA
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
ZXM64N035GTA-DG
وصف:
MOSFET N-CH 35V 4.8A/6.7A SOT223
وصف تفصيلي:
N-Channel 35 V 4.8A (Ta), 6.7A (Tc) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223-3
المخزون:
12904450
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
ZXM64N035GTA المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
35 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
4.8A (Ta), 6.7A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
50mOhm @ 3.7A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
950 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SOT-223-3
العبوة / العلبة
TO-261-4, TO-261AA
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
ZXM64N035GTR-NDR
ZXM64N035GDKR-NDR
ZXM64N035GCT
ZXM64N035GDKR
ZXM64N035GCT-NDR
ZXM64N035GTR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
ZXMN4A06GTA
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
ZXMN4A06GTA-DG
سعر الوحدة
0.29
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
ZXMN2069FTA
MOSFET N-CH SOT23-3
IXFR55N50
MOSFET N-CH 500V 48A ISOPLUS247
ZVN4310ASTZ
MOSFET N-CH 100V 900MA E-LINE
