رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
ZXMC4A16DN8TA
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
ZXMC4A16DN8TA-DG
وصف:
MOSFET N/P-CH 40V 5.2A/4.7A 8SO
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 40V 5.2A (Ta), 4.7A (Ta) 2.1W Surface Mount 8-SO
المخزون:
12904324
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
ZXMC4A16DN8TA المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
N and P-Channel Complementary
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
5.2A (Ta), 4.7A (Ta)
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
50mOhm @ 4.5A, 10V, 60mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 250mA (Min)
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
17nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
770pF @ 40V, 1000pF @ 20V
الطاقة - الحد الأقصى
2.1W
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حزمة جهاز المورد
8-SO
رقم المنتج الأساسي
ZXMC4A16
معلومات إضافية
الباقة القياسية
500
اسماء اخرى
ZXMC4A16DN8TADI
1034-ZXMC4A16DN8DKR
ZXMC4A16DN8DKR
ZXMC4A16DN8TA-DG
ZXMC4A16DN8TR
ZXMC4A16DN8TADI-DG
ZXMC4A16DN8CT
1034-ZXMC4A16DN8TR
ZXMC4A16DN8TADITR
ZXMC4A16DN8TADICT
ZXMC4A16DN8TADIDKR
1034-ZXMC4A16DN8CT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
DMC4040SSDQ-13
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
2500
DiGi رقم الجزء
DMC4040SSDQ-13-DG
سعر الوحدة
0.29
نوع الاستبدال
Direct
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
ZXMHC10A07T8TA
MOSFET 2N/2P-CH 100V 1A/0.8A SM8
DMN63D1LV-7
MOSFET 2N-CH 60V 0.55A SOT563
ZXMN3A06DN8TA
MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SO