رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
ZXMN2F34MATA
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
ZXMN2F34MATA-DG
وصف:
MOSFET N-CH 20V 4A DFN322
وصف تفصيلي:
N-Channel 20 V 4A (Ta) 1.35W (Ta) Surface Mount DFN322
المخزون:
12887725
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
ZXMN2F34MATA المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
4A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
2.5V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
60mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
2.8 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±12V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
277 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.35W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
DFN322
العبوة / العلبة
3-PowerVDFN
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
ZXMN2F34MACT
ZXMN2F34MADKR
ZXMN2F34MATR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
DMN10H170SVTQ-7
MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
ZVN2110ASTOA
MOSFET N-CH 100V 320MA E-LINE
DMN3030LFG-7
MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI3333-8