رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
ZXMN3A02X8TA
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
ZXMN3A02X8TA-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 5.3A 8MSOP
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 5.3A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 8-MSOP
المخزون:
750 قطع جديدة أصلية في المخزون
12949667
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
ZXMN3A02X8TA المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
5.3A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
25mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
26.8 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1400 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.1W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-MSOP
العبوة / العلبة
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
رقم المنتج الأساسي
ZXMN3
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
31-ZXMN3A02X8TACT
ZXMN3A02X8CT-NDR
31-ZXMN3A02X8TATR
ZXMN3A02X8CT
ZXMN3A02X8TR
ZXMN3A02X8CT-DG
981-ZXMN3A02X8TA
ZXMN3A02X8TR-DG
ZXMN3A02X8TR-NDR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
DMP3056LSS-13
MOSFET P-CH 30V 7.1A 8SOP
DMTH43M8LFGQ-13
MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
TK34A10N1,S4X
MOSFET N-CH 100V 34A TO220SIS
