ZXMN3F30FHTA
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

ZXMN3F30FHTA

Product Overview

المُصنّع:

Diodes Incorporated

رقم الجزء DiGi Electronics:

ZXMN3F30FHTA-DG

وصف:

MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 3.8A (Ta) 950mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

المخزون:

33442 قطع جديدة أصلية في المخزون
12905566
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

ZXMN3F30FHTA المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3.8A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
47mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
7.7 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
318 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
950mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SOT-23-3
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
رقم المنتج الأساسي
ZXMN3

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
ZXMN3F30FHTR
ZXMN3F30FHDKR
ZXMN3F30FHCT

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
diodes

ZVP1320A

MOSFET P-CH 200V 70MA TO92-3

diodes

ZXMN6A08E6TC

MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT26

diodes

ZVN4306AVSTOA

MOSFET N-CH 60V 1.1A E-LINE

vishay-siliconix

IRLD110PBF

MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP