رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
ZXMN6A08GQTA
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
ZXMN6A08GQTA-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 3.8A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223-3
المخزون:
879 قطع جديدة أصلية في المخزون
12953807
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
ZXMN6A08GQTA المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3.8A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
80mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
5.8 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
459 pF @ 40 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SOT-223-3
العبوة / العلبة
TO-261-4, TO-261AA
رقم المنتج الأساسي
ZXMN6
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
ZXMN6A08GQTADITR-DG
ZXMN6A08GQTADICT-DG
ZXMN6A08GQTADIDKR-DG
31-ZXMN6A08GQTACT
ZXMN6A08GQTADITR
ZXMN6A08GQTADICT
31-ZXMN6A08GQTATR
ZXMN6A08GQTADIDKR
31-ZXMN6A08GQTADKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
ZXMN6A08GTA
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
3489
DiGi رقم الجزء
ZXMN6A08GTA-DG
سعر الوحدة
0.23
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRF840APBF-BE3
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
IRFBC40ASTRRPBF
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
NVTFS024N06CTAG
MOSFET N-CH 60V 7A/24A 8WDFN