رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
ZXMN6A09KQTC
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
ZXMN6A09KQTC-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 11.8A TO252
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 11.8A (Ta) 10.1W (Ta) Surface Mount TO-252 (DPAK)
المخزون:
12887154
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
ZXMN6A09KQTC المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
11.8A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
40mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1426 pF @ 30 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
10.1W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-252 (DPAK)
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
ZXMN6
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
TSM340N06CP ROG
المُصنِّع
Taiwan Semiconductor Corporation
الكمية المتاحة
32797
DiGi رقم الجزء
TSM340N06CP ROG-DG
سعر الوحدة
0.22
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IPD26N06S2L35ATMA2
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
2296
DiGi رقم الجزء
IPD26N06S2L35ATMA2-DG
سعر الوحدة
0.34
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
NTD5867NLT4G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
NTD5867NLT4G-DG
سعر الوحدة
0.98
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
ZXMP6A17GTA
MOSFET P-CH 60V 3A SOT223
ZXMN3B04N8TC
MOSFET N-CH 30V 7.2A 8SO
ZVN4206AVSTZ
MOSFET N-CH 60V 600MA E-LINE
