رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
ZXMN6A25N8TA
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
ZXMN6A25N8TA-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 4.3A 8SO
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 4.3A (Ta) 1.56W (Ta) Surface Mount 8-SO
المخزون:
12887007
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
ZXMN6A25N8TA المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
4.3A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
50mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
20.4 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1063 pF @ 30 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.56W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-SO
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
رقم المنتج الأساسي
ZXMN6
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
500
اسماء اخرى
ZXMN6A25N8TADI
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
RSH065N06GZETB
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
109
DiGi رقم الجزء
RSH065N06GZETB-DG
سعر الوحدة
0.44
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
SI4436DY-T1-GE3
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
17948
DiGi رقم الجزء
SI4436DY-T1-GE3-DG
سعر الوحدة
0.31
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
6A2-TP
المُصنِّع
Micro Commercial Co
الكمية المتاحة
2332
DiGi رقم الجزء
6A2-TP-DG
سعر الوحدة
0.12
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
ZXMP7A17GQTA
MOSFET P-CH 70V 2.6A SOT223
ZVNL120GTC
MOSFET N-CH 200V 320MA SOT223
ZVN4210GTC
MOSFET N-CH 100V 800MA SOT223
