رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
2N7000
Product Overview
المُصنّع:
Diotec Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
2N7000-DG
وصف:
MOSFET TO-92 60V 0.2A
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 200mA (Ta) 350mW (Ta) Through Hole TO-92
المخزون:
146004 قطع جديدة أصلية في المخزون
12977934
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
2N7000 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diotec Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
200mA (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 1mA
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
60 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
350mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-92
العبوة / العلبة
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
4,000
اسماء اخرى
4878-2N7000TR
2796-2N7000TR-DG
4878-2N7000CT
2796-2N7000TR
4878-2N7000DKR
4878-2N7000DKRINACTIVE
4878-2N7000DKR-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
Not applicable
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
XPN12006NC,L1XHQ
MOSFET N-CH 60V 20A 8TSON
G2R1000MT33J
SIC MOSFET N-CH 4A TO263-7
SCT4026DEC11
750V, 26M, 3-PIN THD, TRENCH-STR
