رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
DI110N06D2
Product Overview
المُصنّع:
Diotec Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
DI110N06D2-DG
وصف:
MOSFET, D2PAK, 60V, 110A, 150C,
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 110A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount TO-263AB
المخزون:
13005595
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
DI110N06D2 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diotec Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
110A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3.2mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
75 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4597 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
62.5W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263AB
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
800
اسماء اخرى
4878-DI110N06D2DKR
4878-DI110N06D2TR
4878-DI110N06D2CT
2796-DI110N06D2TR
2796-DI110N06D2TR-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
Not applicable
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Affected
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
MMFTN210A
MOSFET SOT23 N 100V 0.32OHM 150C
IRF8721TRPBFXTMA1
TRENCH <= 40V
PJQ5544V-AU_R2_002A1
40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M