الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FBG10N05AC
Product Overview
المُصنّع:
EPC Space, LLC
رقم الجزء DiGi Electronics:
FBG10N05AC-DG
وصف:
GAN FET HEMT 100V5A COTS 4FSMD-A
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 5A (Tc) Surface Mount 4-SMD
المخزون:
64 قطع جديدة أصلية في المخزون
12997446
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FBG10N05AC المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
EPC Space
تعبئة
Bulk
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
GaNFET (Gallium Nitride)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
5A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
44mOhm @ 5A, 5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 1.2mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
2.2 nC @ 5 V
Vgs (ماكس)
+6V, -4V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
233 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
-
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
4-SMD
العبوة / العلبة
4-SMD, No Lead
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
FBG10N05A Datasheet
مخططات البيانات
FBG10N05AC
ورقة بيانات HTML
FBG10N05AC-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
169
اسماء اخرى
4107-FBG10N05AC
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
ECCN
9A515E1
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPB65R145CFD7AATMA1
AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO263-3
FDS4465-G
MOSFET P-CH 20V 8SOIC
CMS25N10D-HF
MOSFET P-CH 100V 25A DPAK
CMS11N10Q8-HF
MOSFET N-CH 100V 11A 8SOP