رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
EPC2010
Product Overview
المُصنّع:
EPC
رقم الجزء DiGi Electronics:
EPC2010-DG
وصف:
GANFET N-CH 200V 12A DIE
وصف تفصيلي:
N-Channel 200 V 12A (Ta) Surface Mount Die
المخزون:
12818019
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
EPC2010 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
EPC
تعبئة
-
سلسلة
eGaN®
حالة المنتج
Discontinued at Digi-Key
نوع FET
N-Channel
التقنية
GaNFET (Gallium Nitride)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
200 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
12A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
25mOhm @ 6A, 5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 3mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
7.5 nC @ 5 V
Vgs (ماكس)
+6V, -4V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
540 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
-
درجة حرارة التشغيل
-40°C ~ 125°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
Die
العبوة / العلبة
Die
رقم المنتج الأساسي
EPC20
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
500
اسماء اخرى
917-1016-2
917-1016-1
-917-1016-1
-917-1016-2
917-1016-6
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0040
نماذج بديلة
رقم الجزء
EPC2010C
المُصنِّع
EPC
الكمية المتاحة
6905
DiGi رقم الجزء
EPC2010C-DG
سعر الوحدة
3.21
نوع الاستبدال
Direct
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
RSJ800N06TL
MOSFET N-CH 60V 80A LPTS
RQ3E130MNTB1
MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8
R6012FNJTL
MOSFET N-CH 600V 12A LPT
