رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
EPC2038
Product Overview
المُصنّع:
EPC
رقم الجزء DiGi Electronics:
EPC2038-DG
وصف:
GANFET N-CH 100V 500MA DIE
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 500mA (Ta) Surface Mount Die
المخزون:
91587 قطع جديدة أصلية في المخزون
12802732
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
EPC2038 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
EPC
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
eGaN®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
GaNFET (Gallium Nitride)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
500mA (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3.3Ohm @ 50mA, 5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 20µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
0.044 nC @ 5 V
Vgs (ماكس)
+6V, -4V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
8.4 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
-
درجة حرارة التشغيل
-40°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
Die
العبوة / العلبة
Die
رقم المنتج الأساسي
EPC20
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
917-1138-1
917-1138-6
917-1138-2
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0040
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRF7811WTR
MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
IPP50R250CPHKSA1
MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3
IRFB4615PBF
MOSFET N-CH 150V 35A TO220AB
