رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
EPC2051
Product Overview
المُصنّع:
EPC
رقم الجزء DiGi Electronics:
EPC2051-DG
وصف:
GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 1.7A (Ta) Surface Mount Die
المخزون:
10791 قطع جديدة أصلية في المخزون
12802013
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
EPC2051 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
EPC
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
eGaN®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
GaNFET (Gallium Nitride)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
1.7A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
25mOhm @ 3A, 5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 1.5mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
2.1 nC @ 5 V
Vgs (ماكس)
+6V, -4V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
258 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
-
درجة حرارة التشغيل
-40°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
Die
العبوة / العلبة
Die
رقم المنتج الأساسي
EPC20
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
917-1201-2
917-1201-1
917-1201-6
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0040
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
EPC2020
GANFET N-CH 60V 90A DIE
IRF7413ZTR
MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
BSC010NE2LSATMA1
MOSFET N-CH 25V 39A/100A TDSON
