رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
EPC2302
Product Overview
المُصنّع:
EPC
رقم الجزء DiGi Electronics:
EPC2302-DG
وصف:
TRANS GAN 100V DIE .0018OHM
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 101A (Ta) Surface Mount 7-QFN (3x5)
المخزون:
53615 قطع جديدة أصلية في المخزون
12997915
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
EPC2302 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
EPC
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
eGaN®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
GaNFET (Gallium Nitride)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
101A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.8mOhm @ 50A, 5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 14mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
23 nC @ 5 V
Vgs (ماكس)
+6V, -4V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3200 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
-
درجة حرارة التشغيل
-40°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
7-QFN (3x5)
العبوة / العلبة
7-PowerWQFN
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
917-EPC2302DKR
917-EPC2302TR
917-EPC2302CT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
2 (1 Year)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0040
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
GSFH5010
MOSFET, N-CH, SINGLE, 9A, 500V,
GSFP06120
MOSFET, N-CH, SINGLE, 120A, 65V,
RSS095N05HZGTB
NCH 45V 9.5A POWER MOSFET: RSS09