رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FCP11N60N
Product Overview
المُصنّع:
Fairchild Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
FCP11N60N-DG
وصف:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 10.8A (Tc) 94W (Tc) Through Hole TO-220-3
المخزون:
1700 قطع جديدة أصلية في المخزون
12946050
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FCP11N60N المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
تعبئة
Bulk
سلسلة
SupreMOS™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
10.8A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
299mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
35.6 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1505 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
94W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
173
اسماء اخرى
2156-FCP11N60N
FAIFSCFCP11N60N
التصنيف البيئي والتصدير
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
AUIRF7675M2TR
AUIRF7675M2 - 120V-300V N-CHANNE
FCP16N60N
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
2SK2632LS-CB11
2SK2632 - 2.5A, 800V, 4.8OHM, N-
