رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FCP9N60N
Product Overview
المُصنّع:
Fairchild Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
FCP9N60N-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 9A TO220-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 9A (Tc) 83.3W (Tc) Through Hole TO-220-3
المخزون:
33480 قطع جديدة أصلية في المخزون
12946212
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FCP9N60N المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
تعبئة
Bulk
سلسلة
SuperMOS™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
9A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
385mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1240 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
83.3W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
179
اسماء اخرى
FAIFSCFCP9N60N
2156-FCP9N60N
التصنيف البيئي والتصدير
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDMC0202S
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
2SJ356(0)-T1-AY
2SJ356 - SIGNAL DEVICE
IRFSL7730PBF
IRFSL7730 - 12V-300V N-CHANNEL P
