رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FCU850N80Z
Product Overview
المُصنّع:
Fairchild Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
FCU850N80Z-DG
وصف:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
وصف تفصيلي:
N-Channel 800 V 6A (Tc) 75W (Tc) Through Hole I-PAK
المخزون:
1000 قطع جديدة أصلية في المخزون
12946447
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FCU850N80Z المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
تعبئة
Bulk
سلسلة
SuperFET® II
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
800 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
6A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
850mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 600µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1315 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
75W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
I-PAK
العبوة / العلبة
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
257
اسماء اخرى
ONSONSFCU850N80Z
2156-FCU850N80Z
التصنيف البيئي والتصدير
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
AUIRF1324STRL
MOSFET N-CH 24V 195A D2PAK
FDZ661PZ
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
IRF6714MTRPBF
MOSFET N-CH 25V 29A/166A DIRECT
