رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDD6688S
Product Overview
المُصنّع:
Fairchild Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDD6688S-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 88A DPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 88A (Ta) 69W (Ta) Surface Mount TO-252 (DPAK)
المخزون:
6966 قطع جديدة أصلية في المخزون
13076004
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDD6688S المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
تعبئة
Bulk
سلسلة
PowerTrench®
التغليف
Bulk
حالة الجزء
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
88A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
5.1mOhm @ 18.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
81 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3290 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
69W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-252 (DPAK)
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
217
اسماء اخرى
2156-FDD6688S
FAIFSCFDD6688S
2156-FDD6688S-FSTR-ND
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDB5645
MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
HUF75623P3
MOSFET N-CH 100V 22A TO220-3
FDS6299S
MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC
