FDD6782A
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FDD6782A

Product Overview

المُصنّع:

Fairchild Semiconductor

رقم الجزء DiGi Electronics:

FDD6782A-DG

وصف:

MOSFET N-CH 25V 20A DPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 25 V 20A (Ta) 3.7W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)

المخزون:

82216 قطع جديدة أصلية في المخزون
12905062
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

FDD6782A المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
تعبئة
Bulk
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
25 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
20A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
10.5mOhm @ 14.9A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1065 pF @ 13 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.7W (Ta), 31W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-252 (DPAK)
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

معلومات إضافية

الباقة القياسية
761
اسماء اخرى
2156-FDD6782A
FAIFSCFDD6782A

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
diodes

ZVN4424ASTOA

MOSFET N-CH 240V 260MA E-LINE

vishay-siliconix

IRF630L

MOSFET N-CH 200V 9A I2PAK

diodes

ZXMP7A17KTC

MOSFET P-CH 70V 3.8A TO252-3

diodes

ZVN3310FTC

MOSFET N-CH 100V 100MA SOT23-3