رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDD8447L
Product Overview
المُصنّع:
Fairchild Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDD8447L-DG
وصف:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
وصف تفصيلي:
N-Channel 40 V 15.2A (Ta), 50A (Tc) 3.1W (Ta), 44W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
المخزون:
25550 قطع جديدة أصلية في المخزون
12946652
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDD8447L المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
تعبئة
Bulk
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
15.2A (Ta), 50A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
8.5mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1970 pF @ 20 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.1W (Ta), 44W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-252 (DPAK)
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
705
اسماء اخرى
2156-FDD8447L
ONSONSFDD8447L
التصنيف البيئي والتصدير
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
STD80N4F6
MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
FCU4300N80Z
MOSFET N-CH 800V 1.6A I-PAK
IRF40DM229
MOSFET N-CH 40V 159A DIRECTFET
