رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDG312P
Product Overview
المُصنّع:
Fairchild Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDG312P-DG
وصف:
MOSFET P-CH 20V 1.2A SC88
وصف تفصيلي:
P-Channel 20 V 1.2A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SC-88 (SC-70-6)
المخزون:
91890 قطع جديدة أصلية في المخزون
12946840
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDG312P المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
تعبئة
Bulk
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
1.2A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
2.5V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
180mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
5 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±8V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
330 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
750mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SC-88 (SC-70-6)
العبوة / العلبة
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,649
اسماء اخرى
2156-FDG312P
FAIFSCFDG312P
التصنيف البيئي والتصدير
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDG311N
MOSFET N-CH 20V 1.9A SC88
STE70NM60
MOSFET N-CH 600V 70A ISOTOP
IRFH7934TRPBF
MOSFET N-CH 30V 24A/76A 8PQFN
