رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDH038AN08A1
Product Overview
المُصنّع:
Fairchild Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDH038AN08A1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 75V 22A/80A TO247-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 75 V 22A (Ta), 80A (Tc) 450W (Tc) Through Hole TO-247
المخزون:
4779 قطع جديدة أصلية في المخزون
12946552
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDH038AN08A1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
تعبئة
Bulk
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
75 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
22A (Ta), 80A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
6V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3.8mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
160 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
8665 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
450W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-247
العبوة / العلبة
TO-247-3
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
48
اسماء اخرى
2156-FDH038AN08A1
FAIFSCFDH038AN08A1
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
حالة الوصول
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
2N6787
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
FDN352AP
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
FDBL86563-F085
MOSFET N-CH 60V 240A 8HPSOF
