FDMC7672
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FDMC7672

Product Overview

المُصنّع:

Fairchild Semiconductor

رقم الجزء DiGi Electronics:

FDMC7672-DG

وصف:

MOSFET N-CH 30V 16.9A/20A 8MLP
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 16.9A (Ta), 20A (Tc) 2.3W (Ta), 33W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)

المخزون:

9009 قطع جديدة أصلية في المخزون
12946827
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

FDMC7672 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
تعبئة
Bulk
سلسلة
PowerTrench®, SyncFET™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
16.9A (Ta), 20A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
5.7mOhm @ 16.9A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
57 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3890 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.3W (Ta), 33W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-MLP (3.3x3.3)
العبوة / العلبة
8-PowerWDFN

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

معلومات إضافية

الباقة القياسية
660
اسماء اخرى
2156-FDMC7672
FAIFSCFDMC7672

التصنيف البيئي والتصدير

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
fairchild-semiconductor

FQU5N40TU

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3

fairchild-semiconductor

FDMC8854

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

fairchild-semiconductor

FQD4N20TM

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3

fairchild-semiconductor

FDPF5N50T

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5