رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDP039N08B-F102
Product Overview
المُصنّع:
Fairchild Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDP039N08B-F102-DG
وصف:
MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 80 V 120A (Tc) 214W (Tc) Through Hole TO-220-3
المخزون:
399 قطع جديدة أصلية في المخزون
12946533
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDP039N08B-F102 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
تعبئة
Bulk
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
80 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
120A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3.9mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
133 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
9450 pF @ 40 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
214W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
64
اسماء اخرى
ONSONSFDP039N08B-F102
2156-FDP039N08B-F102ND
التصنيف البيئي والتصدير
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDPF16N50UT
MOSFET N-CH 500V 15A TO220F
IRL60SL216
IRL60SL216 - 12V-300V N-CHANNEL
STB100NF04T4
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK