FDP3672
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FDP3672

Product Overview

المُصنّع:

Fairchild Semiconductor

رقم الجزء DiGi Electronics:

FDP3672-DG

وصف:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
وصف تفصيلي:
N-Channel 105 V 5.9A (Ta), 41A (Tc) 135W (Tc) Through Hole TO-220-3

المخزون:

9651 قطع جديدة أصلية في المخزون
12946356
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

FDP3672 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
تعبئة
Bulk
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
105 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
5.9A (Ta), 41A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
6V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
33mOhm @ 41A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
37 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1670 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
135W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
Datasheet

معلومات إضافية

الباقة القياسية
328
اسماء اخرى
2156-FDP3672
FAIFSCFDP3672

التصنيف البيئي والتصدير

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
شهادة ديجي
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
المنتجات ذات الصلة
international-rectifier

IRF9240

HEXFET POWER MOSFET

fairchild-semiconductor

FDD6296

MOSFET N-CH 30V 15A/50A DPAK

international-rectifier

AUIRL1404ZS

MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK

fairchild-semiconductor

FDB9403L-F085

MOSFET N-CH 40V 110A D2PAK