رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FDS4470
Product Overview
المُصنّع:
Fairchild Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
FDS4470-DG
وصف:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
وصف تفصيلي:
N-Channel 40 V 12.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
المخزون:
193682 قطع جديدة أصلية في المخزون
12946980
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FDS4470 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
تعبئة
Bulk
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
12.5A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
9mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
+30V, -20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2659 pF @ 20 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-SOIC
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
329
اسماء اخرى
2156-FDS4470
ONSONSFDS4470
التصنيف البيئي والتصدير
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FDD8796
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
FDD8880_F054
1-ELEMENT, N-CHANNEL POWER MOSFE
FDP8880
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
