FDS6612A
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FDS6612A

Product Overview

المُصنّع:

Fairchild Semiconductor

رقم الجزء DiGi Electronics:

FDS6612A-DG

وصف:

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 8.4A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

المخزون:

141427 قطع جديدة أصلية في المخزون
12946380
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

FDS6612A المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
تعبئة
Bulk
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
8.4A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
22mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
7.6 nC @ 5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
560 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-SOIC
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
Datasheet

معلومات إضافية

الباقة القياسية
917
اسماء اخرى
2156-FDS6612AND
FAIFSCFDS6612A

التصنيف البيئي والتصدير

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
شهادة ديجي
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
المنتجات ذات الصلة
fairchild-semiconductor

FDU6N50TU

MOSFET N-CH 500V 6A I-PAK

nxp-semiconductors

BUK962R6-40E,118

MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK

international-rectifier

AUIRLU3114Z

AUIRLU3114Z - 20V-40V N-CHANNEL

international-rectifier

AUIRFR8405TRL

MOSFET N-CH 40V 100A DPAK