FDS8876
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FDS8876

Product Overview

المُصنّع:

Fairchild Semiconductor

رقم الجزء DiGi Electronics:

FDS8876-DG

وصف:

MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 12.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

المخزون:

1611 قطع جديدة أصلية في المخزون
12947236
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

FDS8876 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
تعبئة
Bulk
سلسلة
PowerTrench®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
12.5A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
8.2mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1650 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-SOIC
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

معلومات إضافية

الباقة القياسية
604
اسماء اخرى
ONSFSCFDS8876
2156-FDS8876

التصنيف البيئي والتصدير

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
nxp-semiconductors

PSMN2R7-30BL,118

NOW NEXPERIA PSMN2R7-30BL - 100A

international-rectifier

IRF6795MTRPBF

IRF6795 - 12V-300V N-CHANNEL POW

nxp-semiconductors

PMPB33XP,115

NOW NEXPERIA PMPB33XP - 5.5A, 20

fairchild-semiconductor

HUFA75307T3ST

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2