رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FQAF17P10
Product Overview
المُصنّع:
Fairchild Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
FQAF17P10-DG
وصف:
MOSFET P-CH 100V 12.4A TO3PF
وصف تفصيلي:
P-Channel 100 V 12.4A (Tc) 56W (Tc) Through Hole TO-3PF
المخزون:
2972 قطع جديدة أصلية في المخزون
12816878
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FQAF17P10 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
تعبئة
Tube
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
12.4A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
190mOhm @ 6.2A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1100 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
56W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-3PF
العبوة / العلبة
TO-3P-3 Full Pack
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
307
اسماء اخرى
2156-FQAF17P10-FS
FAIFSCFQAF17P10
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
HUFA76407D3ST
MOSFET N-CH 60V 12A TO252AA
NDS8410A
MOSFET N-CH 30V 10.8A 8SOIC
FQP17N08
MOSFET N-CH 80V 16.5A TO220-3
