FQAF28N15
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FQAF28N15

Product Overview

المُصنّع:

Fairchild Semiconductor

رقم الجزء DiGi Electronics:

FQAF28N15-DG

وصف:

MOSFET N-CH 150V 22A TO3PF
وصف تفصيلي:
N-Channel 150 V 22A (Tc) 102W (Tc) Through Hole TO-3PF

المخزون:

473 قطع جديدة أصلية في المخزون
12900287
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

FQAF28N15 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
تعبئة
Tube
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
150 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
22A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
90mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±25V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1600 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
102W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-3PF
العبوة / العلبة
TO-3P-3 Full Pack

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
FQAF28N15

معلومات إضافية

الباقة القياسية
346
اسماء اخرى
FAIFSCFQAF28N15
2156-FQAF28N15-FS

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
المنتجات ذات الصلة
nexperia

BUK9535-55A,127

MOSFET N-CH 55V 34A TO220AB

taiwan-semiconductor

TSM090N03CP ROG

MOSFET N-CHANNEL 30V 50A TO252

diodes

DMG6402LVT-7

MOSFET N-CH 30V 6A TSOT26

diodes

DMN33D8LTQ-13

MOSFET N-CH 30V 115MA SOT523