FQB6N40CTM
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FQB6N40CTM

Product Overview

المُصنّع:

Fairchild Semiconductor

رقم الجزء DiGi Electronics:

FQB6N40CTM-DG

وصف:

MOSFET N-CH 400V 6A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 400 V 6A (Tc) 73W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

المخزون:

1600 قطع جديدة أصلية في المخزون
12946633
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

FQB6N40CTM المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
تعبئة
Bulk
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
400 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
6A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
625 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
73W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263 (D2PAK)
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

معلومات إضافية

الباقة القياسية
369
اسماء اخرى
ONSFSCFQB6N40CTM
2156-FQB6N40CTM

التصنيف البيئي والتصدير

HTSUS
0000.00.0000
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
fairchild-semiconductor

FDMS0348

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

fairchild-semiconductor

FQP6N60C

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5

fairchild-semiconductor

FDMC7570S

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

fairchild-semiconductor

FDC653N

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI