رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FQP12N60C
Product Overview
المُصنّع:
Fairchild Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
FQP12N60C-DG
وصف:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 12A (Tc) 225W (Tc) Through Hole TO-220-3
المخزون:
4340 قطع جديدة أصلية في المخزون
12946769
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FQP12N60C المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
تعبئة
Bulk
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
12A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
650mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2290 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
225W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
166
اسماء اخرى
FAIFSCFQP12N60C
2156-FQP12N60C
التصنيف البيئي والتصدير
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRF2805PBF
IRF2805 - 12V-300V N-CHANNEL POW
FQI5N60CTU
MOSFET N-CH 600V 4.5A I2PAK
FQP3P20
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
