FQP2N80
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FQP2N80

Product Overview

المُصنّع:

Fairchild Semiconductor

رقم الجزء DiGi Electronics:

FQP2N80-DG

وصف:

MOSFET N-CH 800V 2.4A TO220-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 800 V 2.4A (Tc) 85W (Tc) Through Hole TO-220-3

المخزون:

900 قطع جديدة أصلية في المخزون
12946701
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

FQP2N80 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
تعبئة
Bulk
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
800 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2.4A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
6.3Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
550 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
85W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
FQP2N80 Datasheet

معلومات إضافية

الباقة القياسية
415
اسماء اخرى
2156-FQP2N80
FAIFSCFQP2N80

التصنيف البيئي والتصدير

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
شهادة ديجي
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
المنتجات ذات الصلة
fairchild-semiconductor

FDPF680N10T

MOSFET N-CH 100V 12A TO220F

fairchild-semiconductor

FQI8N60CTU

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7

international-rectifier

IRLR2905ZTRLPBF

MOSFET N-CH 55V 42A DPAK

fairchild-semiconductor

FQP7P06

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7