رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FQPF10N50CF
Product Overview
المُصنّع:
Fairchild Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
FQPF10N50CF-DG
وصف:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
وصف تفصيلي:
N-Channel 500 V 10A (Tc) 48W (Tc) Through Hole TO-220F-3
المخزون:
67211 قطع جديدة أصلية في المخزون
12947286
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FQPF10N50CF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
تعبئة
Bulk
سلسلة
FRFET®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
10A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
610mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2096 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
48W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220F-3
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
223
اسماء اخرى
FAIFSCFQPF10N50CF
2156-FQPF10N50CF
التصنيف البيئي والتصدير
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
RJK1535DPE-LE
40A, 150V, 0.052OHM, N-CHANNEL M
FDD8896
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
AUIRF2805STRL
MOSFET N-CH 55V 135A D2PAK