رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FQPF8N80CYDTU
Product Overview
المُصنّع:
Fairchild Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
FQPF8N80CYDTU-DG
وصف:
MOSFET N-CH 800V 8A TO220F-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 800 V 8A (Tc) 59W (Tc) Through Hole TO-220F-3 (Y-Forming)
المخزون:
417 قطع جديدة أصلية في المخزون
12946592
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FQPF8N80CYDTU المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
تعبئة
Bulk
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
800 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
8A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.55Ohm @ 4A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2050 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
59W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220F-3 (Y-Forming)
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
249
اسماء اخرى
2156-FQPF8N80CYDTU
FAIFSCFQPF8N80CYDTU
التصنيف البيئي والتصدير
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPP0400N
IPP0400N
AUIRFZ48N
MOSFET N-CH 55V 69A TO220AB
FDPF041N06BL1
MOSFET N-CH 60V 77A TO220F
