رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FQPF9N50YDTU
Product Overview
المُصنّع:
Fairchild Semiconductor
رقم الجزء DiGi Electronics:
FQPF9N50YDTU-DG
وصف:
MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220F-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 500 V 5.3A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220F-3 (Y-Forming)
المخزون:
24800 قطع جديدة أصلية في المخزون
12905726
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FQPF9N50YDTU المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
تعبئة
Tube
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
5.3A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
730mOhm @ 2.65A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1450 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
50W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220F-3 (Y-Forming)
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
314
اسماء اخرى
2156-FQPF9N50YDTU-FS
FAIFSCFQPF9N50YDTU
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BSS192,115
MOSFET P-CH 240V 200MA SOT89
IRFR020PBF
MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
IRF840LCLPBF
MOSFET N-CH 500V 8A I2PAK
