HUF75852G3
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

HUF75852G3

Product Overview

المُصنّع:

Fairchild Semiconductor

رقم الجزء DiGi Electronics:

HUF75852G3-DG

وصف:

MOSFET N-CH 150V 75A TO247-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 150 V 75A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-247

المخزون:

292 قطع جديدة أصلية في المخزون
12947690
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

HUF75852G3 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
تعبئة
Bulk
سلسلة
UltraFET™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
150 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
75A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
16mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
480 nC @ 20 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
7690 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
500W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-247
العبوة / العلبة
TO-247-3

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

معلومات إضافية

الباقة القياسية
35
اسماء اخرى
2156-HUF75852G3
ONSONSHUF75852G3

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
حالة الوصول
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
taiwan-semiconductor

TSM035NB04CZ

MOSFET N-CH 40V 18A/157A TO220

international-rectifier

IRF6620TRPBF

IRF6620 - 12V-300V N-CHANNEL POW

stmicroelectronics

STP21NM50N

MOSFET N-CH 500V 18A TO220AB

nexperia

PSMN1R9-40PL,127

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1